大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行(xíng)了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安(ān)全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zh过河的卒子歇后语是什么意思，过河卒子歇后语下一句ōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(过河的卒子歇后语是什么意思，过河卒子歇后语下一句yuán)原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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