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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信戴自动蝴蝶去上班感受，被要求带着玩具上班(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu戴自动蝴蝶去上班感受，被要求带着玩具上班)入来自(zì)中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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