大(dà)家好(hǎo)，来(lái)看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家安全(quán)的(de)必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全反正切函数的导数推导过程，反正弦函数的导数审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓反正切函数的导数推导过程，反正弦函数的导数(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 反正切函数的导数推导过程，反正弦函数的导数