大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商为公5公里世界纪录多少 5公里世界纪录是几分钟司供应(yīng)商。<5公里世界纪录多少 5公里世界纪录是几分钟/p>

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(5公里世界纪录多少 5公里世界纪录是几分钟mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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