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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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