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传统体育项目有哪些 传统体育游戏有哪些 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

  据(jù)网信办消息,日(rì)前,网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

  审(shěn)查发现,美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患,对我国关(guān)键信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī),我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查,目的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安(ān)全,是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng),只要遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国(guó)出(chū)手:停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发文称,为(wèi)保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链安(ān)全,防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国家安全,依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》,网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法(fǎ)》,对(duì)美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手(shǒu):停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头,也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一,2022年收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM (内存(cún))市场(chǎng)份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng),至少已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商,采(cǎi)购(gòu)约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立国(g传统体育项目有哪些 传统体传统体育项目有哪些 传统体育游戏有哪些育游戏有哪些uó)内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的(de)稳定性,巩固公司在(zài)下游市场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

  有券商此前就分(fēn)析,如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制,或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤,同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60:1的深(shēn)孔,未(wèi)来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露(lù),薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单,设备(bèi)国产化进程加速(sù),看好拓荆科技(薄(báo)膜(mó)沉积)等相关公(gōng)司份额提升,以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上(shàng)海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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