大家(jiā)好(hǎo)，来看一(yī)则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大(dà)安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(稻草人的作者简介和主要内容，稻草人的作者简介20字gòng)和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不(稻草人的作者简介和主要内容，稻草人的作者简介20字bù)是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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