大(dà)家好，来看(kàn)一(yī)则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士开曼群岛属于哪个国家 开曼群岛是国家吗，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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