大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng姐姐的孩子怎么称呼我，姐姐的女儿怎么称呼)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查(chá)的(de)结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公姐姐的孩子怎么称呼我，姐姐的女儿怎么称呼(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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