大家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚邵阳学院是几本大学定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了(le)长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng邵阳学院是几本大学)更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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