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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室河北保定技校排名，保定技校前十名依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公(g河北保定技校排名，保定技校前十名ōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶河北保定技校排名，保定技校前十名(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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