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　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)50只芦丁鸡一年利润，一只芦丁鸡成本利润商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存储50只芦丁鸡一年利润，一只芦丁鸡成本利润tyle='color: #ff0000; line-height: 24px;'>50只芦丁鸡一年利润，一只芦丁鸡成本利润产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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