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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和流量是gb大还是mb大，gb和mb谁大一点ight: 24px;'>流量是gb大还是mb大，gb和mb谁大一点国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn流量是gb大还是mb大，gb和mb谁大一点)额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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