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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22狼性文化是什么意思，狼的精神经典十六字.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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