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　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大天津面积多少平方公里: 24px;'>天津面积多少平方公里tyle='color: #ff0000; line-height: 24px;'>天津面积多少平方公里供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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