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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的离婚后男人会想孩子吗，离婚后男人会想孩子吗(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显离婚后男人会想孩子吗，离婚后男人会想孩子吗示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)离婚后男人会想孩子吗，离婚后男人会想孩子吗trong>

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。