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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

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　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(女人出国能干什么工作，女人出国打工都有什么工作fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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