大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设(sh48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗f0000; line-height: 24px;'>48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗è)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Soli48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗digm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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