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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(c方阵是什么意思há)办公室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。方阵是什么意思rong>

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。方阵是什么意思>

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。