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　　美光描写瘦西湖春天的诗句，扬州瘦西湖美景佳句公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长(z描写瘦西湖春天的诗句，扬州瘦西湖美景佳句hǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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