大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(g眉飞色舞是什么生肖 眉飞色舞是神态描写吗ōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务(wù)进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　眉飞色舞是什么生肖 眉飞色舞是神态描写吗="半导体突发(fā)！中(zhōng)国(guó)出(chū)手：停止采购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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