大(dà)家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信见贤思齐下一句是啥，见贤思齐下一句论语网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。见贤思齐下一句是啥，见贤思齐下一句论语>

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 见贤思齐下一句是啥，见贤思齐下一句论语