大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成(ch嫡仙出自哪里，嫡仙怎么读音念diéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián嫡仙出自哪里，嫡仙怎么读音念di)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞嫡仙出自哪里，嫡仙怎么读音念di对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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