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　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(d自然堂雪域精粹适合什么年龄，自然堂紫色和蓝色哪个好uì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gō自然堂雪域精粹适合什么年龄，自然堂紫色和蓝色哪个好ng)司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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