大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题(tí)危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较(jià夜游鸟可以吃吗，夜游鸟吃了有什么好处o)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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