大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步n是什么化学元素，n是什么化学元素符号骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 n是什么化学元素，n是什么化学元素符号