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学生级和届怎么区分,毕业的级和届怎么区分

学生级和届怎么区分,毕业的级和届怎么区分 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患,对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响我国国家(jiā)安全。为此,网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

  此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá),目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外(wài)学生级和届怎么区分,毕业的级和届怎么区分开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称(chēng),为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全,防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险,维(wéi)护国家安全,依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安全法》,网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美(měi)光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头,也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng),采(cǎi)购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性,巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应优势,公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

  有券(quàn)商此前就分(fēn)析,如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制,或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì),国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

  分(fēn)析称,长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)学生级和届怎么区分,毕业的级和届怎么区分的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤,同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽,催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù),薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计为75%。自(zì)长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单,设备国产化进(jìn)程加速,看好(hǎo)拓荆科技(jì)(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额提(tí)升,以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入(rù)增长。

 

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