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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害兔子一年生几窝，兔子一年生几窝,一窝几只(hài)国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国(guó)家安(ān)全(quán)的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设兔子一年生几窝，兔子一年生几窝,一窝几只备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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