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　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要范宣年八岁文言文翻译及注释感悟，范宣年八岁文言文翻译及注释拼音遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前范宣年八岁文言文翻译及注释感悟，范宣年八岁文言文翻译及注释拼音高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，范宣年八岁文言文翻译及注释感悟，范宣年八岁文言文翻译及注释拼音长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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