大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

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　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)相亲对象不回消息算拒绝吗，相亲女拒绝你一般有三种暗示是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长。

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