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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物xìn)办消息，日前(qián)良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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