大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论(lùn)。按(àn)照(zhàoacross 和 cross的区别，cross和across区别和across 和 cross的区别，cross和across区别和用法用法)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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