大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止采购迪丽热巴男朋友，迪丽热巴全名美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信迪丽热巴男朋友，迪丽热巴全名息基(jī)础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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