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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民(mín卯怎么读，卯足劲是什么意思解释)共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或(hu卯怎么读，卯足劲是什么意思解释ò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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