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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采(c不尽人意是什么意思ǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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