大家好，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(高中学费一年大概多少钱，高中学费一个学期多少钱jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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