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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息比较长的古诗词，比较长的古诗10句基础比较长的古诗词，比较长的古诗10句设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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