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　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó)家安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星(苏三起解的故事，苏三起解的故事简介xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商苏三起解的故事，苏三起解的故事简介。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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