大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平谢娜给刘烨打过几次胎，谢娜和刘烨怀孕过吗台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网谢娜给刘烨打过几次胎，谢娜和刘烨怀孕过吗(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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