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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美圣诞节可以同房吗，元旦节可以同房吗光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定圣诞节可以同房吗，元旦节可以同房吗推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　圣诞节可以同房吗，元旦节可以同房吗　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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