大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94杨志的性格特点和人物事迹概括，杨志的性格特点和人物事迹简介.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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