大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对kono洗发水是哪个国家的品牌，kono洗发水是品牌吗产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(kono洗发水是哪个国家的品牌，kono洗发水是品牌吗qì)的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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