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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，一二大写字怎么写千，大写的壹贰叁到十中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ一二大写字怎么写千，大写的壹贰叁到十)》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(d一二大写字怎么写千，大写的壹贰叁到十uō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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