大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办雨水淋过的衣服晒干还能穿吗，雨水淋过的衣服晒干还能穿吗公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(雨水淋过的衣服晒干还能穿吗，雨水淋过的衣服晒干还能穿吗xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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