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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球 碾压与辗轧的区别是什么，辗轧与碾压有什么区别DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu碾压与辗轧的区别是什么，辗轧与碾压有什么区别)券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导碾压与辗轧的区别是什么，辗轧与碾压有什么区别致(zhì)下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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