大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安(ān)全(quán)审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú0031是哪个国家的区号啊，00371是哪个国家的区号) DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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