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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网(wǎn猎德村为什么那么有钱，猎德村以前很穷吗g)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过猎德村为什么那么有钱，猎德村以前很穷吗(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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