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安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方

安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消息。

  美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安(ān)全审查

  据网信(xìn)办消息,日前,网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

  审(shěn)查(chá)发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险,影响我国国(guó)家安全。为此,网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

  此次对(duì)美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查,目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安全,是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng),只要遵守中国法律法规要求(qiú),欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全,防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风险,维护国(guó)家安(ān)全,依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络安安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方全法》,网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头,也是全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

  美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

  公告显示(shì), 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商,采购约(yuē)31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星(xīng安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方)、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势,公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方析,如果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制,或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士,国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露,薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单,设备国产化进程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉(chén)积(jī))等相关(guān)公司(sī)份额提升(shēng),以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(清(qīng)洗)等收(shōu)入增长(zhǎng)。

 

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