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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》一文钱等于多少人民币，一贯钱相当于现在多少钱等法律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品一文钱等于多少人民币，一贯钱相当于现在多少钱实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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