大家好，来看一(yī)则(zé)突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题危害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、2始祖鸟什么档次 穿始祖鸟是有钱人吗2.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产始祖鸟什么档次 穿始祖鸟是有钱人吗存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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